半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-175836
公開番号（公開出願番号）：特開2019-016803
出願日： 2018年09月20日
公開日（公表日）： 2019年01月31日
要約：

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。【解決手段】酸化物半導体層、第1の導電層及び第2の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第1の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第2の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタを有し、前記トランジスタは、島状の酸化物半導体層を有し、前記島状の酸化物半導体層は、開口部を有し、前記島状の酸化物半導体層は、上面及び前記開口部の側面で、第1の導電層と接し、前記第1の導電層は、前記開口部の底部で第2の導電層と接する半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (10件)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 616U , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L27/06 102A , H01L27/088 331E , H01L27/088 E , H01L27/108 321 , H01L27/108 671Z

Fターム (165件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104HH13 , 4M104HH16 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB03 , 5F048BB06 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC18 , 5F048BD05 , 5F048BD10 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD69 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR05 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA09 , 5F110AA30 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE25 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG17 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG55 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F110HM05 , 5F110HM13 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-054589 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-319909 出願人：カシオ計算機株式会社
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-060846 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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