特許
J-GLOBAL ID:201903005997788685
ナノワイヤ光デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山川 茂樹
, 小池 勇三
, 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-006387
公開番号(公開出願番号):特開2019-125735
出願日: 2018年01月18日
公開日(公表日): 2019年07月25日
要約:
【課題】フォトニック結晶の線欠陥による光導波路に形成した溝部に配置したナノワイヤの径方向の光閉じ込めをより強くする。【解決手段】溝部103は、フォトニック結晶本体101を貫通して形成され、導波方向に延在している。また、溝部103のフォトニック結晶本体101(基部105)の表面側の幅s1は、ナノワイヤ部104の直径Dより広く形成されている。一方、溝部103のフォトニック結晶本体101の裏面側の幅s2は、ナノワイヤ部104の直径Dより狭く形成されている。実施の形態1において、溝部103の導波方向に垂直な断面の形状は、台形とされている。【選択図】 図1B
請求項(抜粋):
基部および前記基部に対象とする光の波長以下の間隔で周期的に設けられて前記基部とは異なる屈折率の柱状の複数の格子要素を備える板状のフォトニック結晶本体と、
前記フォトニック結晶本体に設けられて前記格子要素がない部分から構成された複数の欠陥からなる直線状の線欠陥から構成された光導波路と、
前記光導波路に前記フォトニック結晶本体を貫通して形成されて導波方向に延在する溝部と、
前記溝部に配置された半導体からなるナノワイヤ部と
を備え、
前記溝部の前記フォトニック結晶本体の表面側の幅は、前記ナノワイヤ部の直径より広く形成され、
前記溝部の前記フォトニック結晶本体の裏面側の幅は、前記ナノワイヤ部の直径より狭く形成されている
ことを特徴とするナノワイヤ光デバイス。
IPC (7件):
H01S 5/24
, G02B 6/122
, G02B 6/12
, G02B 6/42
, H01S 5/10
, B82Y 20/00
, B82Y 40/00
FI (7件):
H01S5/24
, G02B6/122 301
, G02B6/12 301
, G02B6/42
, H01S5/10
, B82Y20/00
, B82Y40/00
Fターム (41件):
2H137AB12
, 2H137AC01
, 2H137BA43
, 2H137BA53
, 2H137BB02
, 2H137BB12
, 2H137BB25
, 2H137CA12F
, 2H137CA13F
, 2H137CA28B
, 2H137CA34
, 2H137CA72
, 2H137EA04
, 2H137EA05
, 2H137FA06
, 2H137GA01
, 2H147AA02
, 2H147AB04
, 2H147AB05
, 2H147BF03
, 2H147BF13
, 2H147BG07
, 2H147BG10
, 2H147CB03
, 2H147CC02
, 2H147EA12A
, 2H147EA12B
, 2H147EA12C
, 2H147EA13A
, 2H147EA13B
, 2H147EA13C
, 2H147EA14B
, 2H147EA15B
, 2H147EA25B
, 2H147FA01
, 2H147FC01
, 2H147FD20
, 5F173AA30
, 5F173AB90
, 5F173AH06
, 5F173AR26
引用特許:
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