特許
J-GLOBAL ID：201903008589271045
シリコンカーバイド部品とシリコンカーバイド部品を製造する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-155152
公開番号（公開出願番号）：特開2019-050362
出願日： 2018年08月22日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：
【課題】 シリコンカーバイド部品とシリコンカーバイド部品を製造する方法を提供する。【解決手段】 シリコンカーバイド部品を製造する方法が、初期ウエハ上にシリコンカーバイド層を形成するステップと、製造されるシリコンカーバイド部品のドープ領域をシリコンカーバイド層内に形成するステップと、製造されるシリコンカーバイド部品の導電性接点構造をシリコンカーバイド層の表面に形成するステップと、を含む。導電性接点構造は、ドープ領域と電気的に接触する。本方法は更に、導電性接点構造を形成するステップの後にシリコンカーバイド層又は初期ウエハを分離するステップであって、これによって、製造されるシリコンカーバイド部品の少なくともシリコンカーバイド基板が分離される、分離するステップを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコンカーバイド部品を製造する方法(100)であって、
初期ウエハ上にシリコンカーバイド層を形成するステップ(110)と、
前記製造されるシリコンカーバイド部品のドープ領域を前記シリコンカーバイド層内に形成するステップ(120)と、
前記製造されるシリコンカーバイド部品の導電性接点構造を前記シリコンカーバイド層の表面に形成するステップ(130)であって、前記導電性接点構造は前記ドープ領域と電気的に接触する、ステップ(130)と、
前記導電性接点構造を形成する前記ステップ(130)の後に前記シリコンカーバイド層及び前記初期ウエハのうちの少なくとも一方を分離するステップ(140)であって、これによって、前記製造されるシリコンカーバイド部品の少なくともシリコンカーバイド基板が分離される、ステップ(140)と、
を含む方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304
, H01L 21/28
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 21/329
H01L21/304 611Z
, H01L21/28 301B
, H01L29/48 F
, H01L29/48 P
4M104AA03
, 4M104BB21
, 4M104DD37
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG08
, 4M104HH20
, 5F057AA43
, 5F057BA11
, 5F057BB09
, 5F057CA40
, 5F057DA22
, 5F057DA33
