特許
J-GLOBAL ID：201903010264615141

赤外線発光ダイオード

発明者：
藤田 浩己

藤田 浩己 について


出願人/特許権者：
旭化成エレクトロニクス株式会社

旭化成エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 田中 秀▲てつ▼ ,  森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-116236
公開番号（公開出願番号）：特開2019-009438
出願日： 2018年06月19日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：
【課題】基板の裏面から光を取り出す赤外線発光ダイオードとして、発光効率及び発光強度の向上が期待できるものを提供する。【解決手段】赤外線発光ダイオード1は、半導体基板2、半導体基板2の一面21上に形成された半導体積層部3、金属層5を備える。半導体積層部3は、一面21側から第一導電型半導体層、活性層、及び第二導電型半導体層をこの順に有し、各層はインジウムおよびアンチモンの少なくとも一方を含む。半導体積層部3は、一面21から突出する第一メサ部301と第一メサ部から突出する第二メサ部302とを有し、第一メサ部301と第二メサ部302との境界が活性層よりも半導体基板2側に存在する。平面視における半導体基板2の外形面積に対する第二メサ部302の底面積の比率は0.21以上0.8以下である。活性層で発生した光の金属層5での反射率は0.60以上1.00以下である。半導体基板2の裏面22が光取り出し面である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の一面上に形成された半導体積層部であって、前記一面側から第一導電型半導体層、活性層、および第二導電型半導体層をこの順に有し、前記第一導電型半導体層、前記活性層、および前記第二導電型半導体層はインジウムおよびアンチモンの少なくとも一方を含み、前記一面から突出する第一メサ部と前記第一メサ部から突出する第二メサ部とを有し、前記第一メサ部と前記第二メサ部との境界が前記活性層よりも前記半導体基板側に存在する半導体積層部と、 前記第一メサ部の前記第一導電型半導体層に接触する第一部分と、前記第一部分とは独立した部分であって前記第二メサ部の前記第二導電型半導体層に接触する第二部分と、を有する金属層と、 前記半導体基板の側面及び前記半導体積層部を封止する封止部と、 を備え、 前記半導体基板上に前記半導体積層部を複数備え、複数の前記半導体積層部は互いに直列に接続され、 平面視における前記半導体基板の外形面積に対する前記第二メサ部の底面積の合計の比率は0.21以上0.8以下であり、 前記活性層で発生した光の前記金属層での反射率は0.60以上1.00以下であり、 前記一面の反対面である前記半導体基板の裏面が光取り出し面である赤外線発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/30 ,  H01L 33/20 ,  H01L 33/52
FI (3件)：
H01L33/30 ,  H01L33/20 ,  H01L33/52
Fターム (29件)：
5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB13 ,  5F045AB17 ,  5F045AB19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F142AA02 ,  5F142CA02 ,  5F142CB15 ,  5F142CB18 ,  5F142CB22 ,  5F142CC02 ,  5F142CG01 ,  5F241AA03 ,  5F241AA04 ,  5F241CA04 ,  5F241CA13 ,  5F241CA34 ,  5F241CA66 ,  5F241CA74 ,  5F241CA93 ,  5F241CB11 ,  5F241CB15 ,  5F241FF16
引用特許：
審査官引用 (12件)
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