特許
J-GLOBAL ID：200903001259997064
発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小西 富雅
, 中村 知公
, 萩野 幹治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-045275
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300069
出願日： 2007年02月26日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】発光層構造から放出された光の実質的に全てを外部へ取出せるようにする発光素子を提供する。【解決手段】成長用基板であるサファイア基板へIII族窒化物系化合物半導体層を成長させてGaN基板と発光層構造を形成する。その後サファイア基板をリフトオフし、露出したGaN基板へ微細な凹凸を形成する。この凹凸のピッチは発光層構造から放出される光の波長より短いものとする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体からなる基板と、
該基板の第1の面に形成されるIII族窒化物系化合物半導体製の発光層構造と、
該基板の第2の面に形成される凹凸面であって、該凹凸面のピッチが前記発光層構造から放出される光の波長より短い凹凸面と、
を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041AA07
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA74
出願人引用 (2件)
審査官引用 (15件)
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