特許
J-GLOBAL ID：201903017358398017

半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法

発明者：
松本 敦

松本 敦 について

, 
赤羽 浩一

赤羽 浩一 について

, 
山本 直克

山本 直克 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人情報通信研究機構

国立研究開発法人情報通信研究機構 について


代理人 (1件)： 安彦 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-121137
公開番号（公開出願番号）：特開2019-009169
出願日： 2017年06月21日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：
【課題】高い温度環境下においても、安定に動作し、高い性能を発揮する。【解決手段】基板2の上に設けられた活性層4と、前記活性層4の上に設けられたクラッド層5とを備える半導体光デバイス1であって、前記クラッド層5の上に設けられ、第1不純物及び前記第1不純物とは異なる第2不純物を含むコンタクト層7を備えることを特徴とする。また、基板2の上に設けられた活性層4と、前記活性層4の上に設けられたクラッド層5とを備える半導体光源であって、前記クラッド層5の上に設けられ、第1不純物及び前記第1不純物とは異なる第2不純物を含むコンタクト層7を備えることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたクラッド層とを備える半導体光デバイスであって、 前記クラッド層の上に設けられ、第1不純物及び前記第1不純物とは異なる第2不純物を含むコンタクト層を備えること を特徴とする半導体光デバイス。
IPC (5件)：
H01S 5/042 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/14 ,  H01L 33/30 ,  H01L 31/10
FI (5件)：
H01S5/042 614 ,  H01S5/343 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L31/10 A
Fターム (46件)：
5F173AA05 ,  5F173AA16 ,  5F173AF08 ,  5F173AF75 ,  5F173AF78 ,  5F173AH30 ,  5F173AJ03 ,  5F173AJ05 ,  5F173AJ41 ,  5F173AK04 ,  5F173AK08 ,  5F173AL03 ,  5F173AL05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AP54 ,  5F173AP57 ,  5F173AP60 ,  5F173AP63 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR75 ,  5F173AS01 ,  5F173MA02 ,  5F173SC02 ,  5F241AA21 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA34 ,  5F241CA53 ,  5F241CA57 ,  5F241CA58 ,  5F241CA66 ,  5F241CA71 ,  5F241CA73 ,  5F241CA92 ,  5F241CA99 ,  5F241FF14 ,  5F849AA01 ,  5F849AB07 ,  5F849BA21 ,  5F849BB01 ,  5F849DA35 ,  5F849EA11 ,  5F849FA05 ,  5F849GA06 ,  5F849XB24
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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