特許
J-GLOBAL ID:201903017710600522
クーリングユニット、断熱構造体及び基板処理装置、半導体装置の製造方法並びにプログラム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
ポレール特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-138160
公開番号(公開出願番号):特開2019-054232
出願日: 2018年07月24日
公開日(公表日): 2019年04月04日
要約:
【課題】ゾーン間の加熱及び冷却制御の応答性を改善する構成を提供する。【解決手段】 ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、該吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、バッファ部で溜められたガスを反応管に向けて吹出すように設けられる開口部と、を備えた構成により、ゾーンの上下方向の長さ比率に応じて吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、制御バルブを開閉させて開口部から反応管に向けて噴出されるガスの流量及び流速が調整される構成が提供される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、前記吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、前記吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、前記バッファ部で溜められたガスを前記反応管に向けて吹出すように設けられる開口部と、を備え、前記ゾーンの上下方向の長さ比率に応じて前記吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、前記制御バルブを開閉させて前記開口部から前記反応管に向けて噴出される前記ガスの流量及び流速が調整されるよう構成されているクーリングユニット。
IPC (3件):
H01L 21/31
, H01L 21/22
, C23C 16/44
FI (3件):
H01L21/31 B
, H01L21/22 511A
, C23C16/44 Z
Fターム (17件):
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030KA04
, 4K030KA26
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045BB03
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EC02
, 5F045EJ04
, 5F045EJ06
, 5F045EK06
, 5F045EK22
引用特許:
出願人引用 (9件)
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特開平4-065820
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-203807
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-003052
出願人:株式会社東芝
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審査官引用 (9件)
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特開平4-065820
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-203807
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-003052
出願人:株式会社東芝
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