特許
J-GLOBAL ID：201403092056096431

断熱構造体及び半導体装置の製造方法

発明者：
小杉 哲也

小杉 哲也 について

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竹脇 基哉

竹脇 基哉 について

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村田 等

村田 等 について

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上野 正昭

上野 正昭 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-031545
公開番号（公開出願番号）：特開2014-209569
出願日： 2014年02月21日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
要約：
【課題】本発明の目的は、基板内や基板間の温度均一性を向上させつつ、炉内温度を迅速に低下させてスループットを向上させることができる断熱構造体及び半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】円筒形状に形成された側壁部を有し、前記側壁部が複数層構造に形成されている断熱構造体であって、前記側壁部の外側に配置された側壁外層の上部に設けられた冷却ガス供給口と、前記側壁部の内側に配置された側壁内層と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路と、前記側壁内層の内側に設けられる空間と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層に設けられた複数の吹出し孔と、前記冷却ガス供給口と前記冷却ガス通路に連設されるバッファエリアと、前記バッファエリアと前記冷却ガス通路の境界面の断面積を小さくする絞り部と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
円筒形状に形成された側壁部を有し、前記側壁部が複数層構造に形成されている断熱構造体であって、 前記側壁部の外側に配置された側壁外層の上部に設けられた冷却ガス供給口と、 前記側壁部の内側に配置された側壁内層と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路と、 前記側壁内層の内側に設けられる空間と、 前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層に設けられた複数の吹出し孔と、 前記冷却ガス供給口と前記冷却ガス通路に連設されるバッファエリアと、 前記バッファエリアと前記冷却ガス通路の境界面の断面積を小さくする絞り部と、 を有する断熱構造体。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01L21/31 E ,  C23C16/44 Z ,  H01L21/22 511A ,  H01L21/324 G ,  H01L21/205
Fターム (18件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA26 ,  4K030LA15 ,  5F045AA20 ,  5F045AB22 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB02 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK22 ,  5F045EK24
引用特許：
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (17件)
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