薄膜トランジスタ、それを含むゲート駆動部、およびそれを含む表示装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：岡部讓 , 吉澤弘司 , 三村治彦 , 岡部洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-103146
公開番号（公開出願番号）：特開2018-207106
特許番号：特許第6636570号
出願日： 2018年05月30日
公開日（公表日）： 2018年12月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、スズ(Sn)および酸素(O)を含む第1酸化物半導体層と、前記インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、および酸素(O)を含む第2酸化物半導体層を備え、前記第2酸化物半導体層のインジウム対比ガリウムの含有量(Ga/In)は、前記第1酸化物半導体層のインジウム対比ガリウムの含有量(Ga/In)より高く、前記第2酸化物半導体層のインジウム対比亜鉛の含有量(Zn/In)は、前記第1酸化物半導体層のインジウム対比亜鉛の含有量(Zn/In)よりも高く、前記第1酸化物半導体層のスズ(Sn)対比インジウム(In)の含有量は2.5≦In/Sn≦5を満たし、スズ(Sn)対比ガリウム(Ga)の含有量は1≦Ga/Sn≦2を満たし、スズ(Sn)対比亜鉛(Zn)の含有量は2.5≦Zn/Sn≦5を満たす、ことを特徴とする、薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , G02F 1/1368 ( 200 6.01) , G09F 9/30 ( 200 6.01) , H01L 51/50 ( 200 6.01) , H01L 27/32 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 618 E , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 612 B , G02F 1/136 , G09F 9/30 338 , H05B 33/14 A , H01L 27/32

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-276700 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-094655 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-151178 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-276700 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-094655 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-151178 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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