特許
J-GLOBAL ID：202103021090429840
フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人後藤特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-239075
公開番号（公開出願番号）：特開2018-095687
特許番号：特許第6948786号
出願日： 2016年12月09日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チオール酸以外のチオール及び/又はチオール酸エステルにおけるメルカプト基の水素原子を1つ除いた基を末端に有し、かつ酸価が0.10mmol/g以下であるフォトレジスト用樹脂であって、
下記式(a1)〜(a4)
[上記式(a1)〜(a4)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R2〜R4は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R5、R6は同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基を示す。R7は-COORc基を示し、前記Rcは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1〜3の整数を示す。Raは環Z1に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0〜3の整数を示す。環Z1は炭素数3〜20の脂環式炭化水素環を示す。]
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含むフォトレジスト用樹脂。
IPC (4件)：
C08F 20/10 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, C08F 2/38 ( 200 6.01)
C08F 20/10
, G03F 7/039 601
, G03F 7/20 521
, G03F 7/20 501
, C08F 2/38
