特許
J-GLOBAL ID：201303068880257244

高分子化合物の製造方法、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
塩野 大寿

塩野 大寿 について

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平野 智之

平野 智之 について

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太宰 尚宏

太宰 尚宏 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-256383
公開番号（公開出願番号）：特開2013-108030
出願日： 2011年11月24日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：
【課題】ディフェクトの発生が低減され、リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】少なくとも、-SO2-含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物(但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない)を製造する方法であって、前記共重合を、前記-SO2-含有環式基を含むモノマーに対して、0.001〜1.0モル%の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、-SO2-含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物(但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない)を製造する方法であって、 前記共重合を、前記-SO2-含有環式基を含むモノマーに対して、0.001〜1.0モル%の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。
IPC (4件)：
C08F 2/38 ,  C08F 220/38 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
C08F2/38 ,  C08F220/38 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (44件)：
2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125EA01P ,  2H125FA03 ,  4J011AA05 ,  4J011CC10 ,  4J011NA13 ,  4J011NA26 ,  4J011NB05 ,  4J011NB06 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC53R ,  4J100BC84P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (11件)
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