特許
J-GLOBAL ID：202203012603480070

表示装置

発明者：
鈴村 功

鈴村 功 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンディスプレイ

株式会社ジャパンディスプレイ について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-002641
公開番号（公開出願番号）：特開2019-120897
特許番号：特許第7022592号
出願日： 2018年01月11日
公開日（公表日）： 2019年07月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化物半導体で構成される薄膜トランジスタ(TFT)を有する画素が複数形成された表示装置であって、 前記酸化物半導体の上にゲート絶縁膜が形成され、 前記ゲート絶縁膜の上にアルミニウム酸化膜が形成され、 前記アルミニウム酸化膜の上にゲート電極が形成され、 前記ゲート電極の両側にサイドスペーサが形成され、 前記ゲート電極、前記サイドスペーサ及びソース及びドレインを覆って層間絶縁膜が形成され、 平面視にて、前記ドレインと前記ソースを結ぶ方向について前記ゲート電極の幅は前記アルミニウム酸化膜の幅よりも狭く形成され、 前記酸化物半導体は、チャネルと、前記チャネルの両側に前記ドレインおよび前記ソースが形成され、前記チャネルと前記ドレインの間、および、前記チャネルと前記ソースの間に中間領域が形成され、 前記酸化物半導体の前記チャネルと前記中間領域の上にゲート絶縁膜が形成され、 前記チャネルの上方で、前記アルミニウム酸化膜の上にゲート電極が形成されており、 前記層間絶縁膜は、前記酸化物半導体の前記ドレインおよび前記ソースと直接接していることを特徴とする表示装置。
IPC (6件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H01L 27/32 ( 200 6.01)
FI (12件)：
G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 27/32 ,  G09F 9/30 365
引用特許：
審査官引用 (8件)
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