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J-GLOBAL ID:200901000303628299   Update date: Jun. 07, 2021

Egawa Takashi

エガワ タカシ | Egawa Takashi
Affiliation and department:
Job title: Professor
Homepage URL  (1): http://www.nitech.ac.jp/gene_inf/g60/g60_050/RENDES.html
Research field  (1): Electronic devices and equipment
Research keywords  (2): Optoelectronic device ,  -Heteroepitaxial growth
Research theme for competitive and other funds  (3):
  • 1991 - 現在 Optoelectronic devices by use of GaN-based masterials
  • 1991 - 現在 Heteroepitaxial growth on Si substrate and its application to devices
  • 2016 - 2016 省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発
Papers (230):
  • D. Biswas, T. Tsuboi, T. Egawa. GaN/InGaN gate for E-mode GaN HEMTs on Si. IEEE EDL. 2020
  • K. Ikejiri, Y. Hiroyama, K. Kasahara, C. Hirooka, T. Osada, M. Tanaka, T. Takada, T. Egawa. Mass production-ready characteristics of AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistor structures grown on 200-mm-diameter silicon substrates using metal-organic chemical vapor deposition. Semicond. Sci. Technol. 2020
  • P. Dalapati, S. Urata, T. Egawa. Investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Silicon (111) substrates employing multi-stacked strained layer superlattice structures. Superlattices and Microstructures. 2020. 147. 106709-1-106709-10
  • M. Miyoshi, T. Nakabayashi, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi. Electrical characterization of Si-doped conductive AlInN films grown nearly lattice-matched to c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition. J. Vac. Sci. Technol. B. 2020. 38. 5. 052205-1-052205-5
  • Pradip Dalapati, KosukeYamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi. Current-induced degradation process in (In)AlGaN-based deep-UV light-emitting diode fabricated on AlN/sapphire template. Optical Materials. 2020. 109. 110352-1-110352-6
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MISC (5):
Books (8):
  • パワーエレクトロニクスの新展開(普及版)
    (株)シーエムシ-出版 2015 ISBN:9784781310299
  • 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開
    (株)シーエムシ-出版 2015 ISBN:9784781310763
  • 2015パワーデバイス技術大全
    株式会社電子ジャーナル 2014
  • GaNパワー半導体を活用した研究開発テーマの発掘
    技術情報協会 2013
  • GaNパワーデバイスの技術展開
    サイエンス&テクノロジー(株) 2012 ISBN:9784864280440
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Lectures and oral presentations  (353):
  • ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
    (電子情報通信学会11月研究会 2020)
  • 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
    (電子情報通信学会11月研究会 2020)
  • 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
    (電子情報通信学会11月研究会 2020)
  • エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
    (電子情報通信学会11月研究会 2020)
  • GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス
    (第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020)
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Works (21):
  • 有機金属気相成長法を用いた短波長フォトディテクターの研究開発
    2001 - 現在
  • 電子デバイス用GaN系化合物半導体材料の研究開発
    2001 - 現在
  • 有機金属気相成長法を用いたシリコン基板上の高輝度窒化ガリウム系発光ダイオードの研究開発
    2001 - 現在
  • 窒化ガリウム系半導体を用いた青・緑・赤色発光ダイオードの研究開発
    2001 - 現在
  • 高周波・電力用GaN系HEMTのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究開発
    2001 - 現在
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Committee career (7):
  • 2008/04 - 現在 文部科学省科学技術政策研究所 専門調査委員
  • 2019/04/05 - 2020/03/31 ISPlasma 2020/IC-PLANTS2020組織委員会委員
  • 2018/04/05 - 2019/03/31 ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019組織委員会委員
  • 2017/04/15 - 2018/03/31 ISPlasma 2018/IC-PLANTS2018組織委員会委員
  • 2015/10/01 - 2018/03/31 名古屋大学未来材料・システム研究所 共同利用・共同研究委員会委員
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Awards (8):
  • 2017/03 - ISPlasma2017/IC-PLANT2017 Organizing Committee Best Presentation Award at ISPlasma2017/IC-PLANT2017 Impacts of Oxidants for ALD Process on Al2O3/GaN Interface Properties
  • 2015/08/28 - 内閣府 第13回産学官連携功労者表彰科学技術政策担当大臣賞
  • 2013/07/17 - 井上春成賞委員会 第38回(平成25年)井上春成賞受賞
  • 2010/08/08 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会賞第17回技術賞
  • 2010/04/13 - 文部科学省 平成22年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞(科学技術振興部門)
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Association Membership(s) (1):
レーザー学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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