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J-GLOBAL ID：200903000036647316

欠陥検査装置およびその方法

Inventor： 野口 稔 ,  大島 良正 ,  西山 英利 ,  松本 俊一 ,  見坊 行雄 ,  松永 良治 ,  酒井 恵寿 ,  二宮 隆典 ,  渡邊 哲也 ,  中村 寿人 ,  神宮 孝広 ,  森重 良夫 ,  近松 秀一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999206078
Publication number (International publication number)：2000105203
Application date： Jul. 21, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板上にパターンを形成し対象物を製作して行く製造工程で発生する異物等の欠陥を検出する際に、パターンからの回折光を低減するために回折光が入らない方向から直線上の高効率照明を実現し、パターンによる信号のばらつきに応じてしきい値を設定することにより、検出感度およびスループットを向上する欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。【解決手段】本発明では、パターンからの散乱光を低減する方向から照明する高効率照明光学系により、信号のばらつきの原因であるパターンからの散乱光を低減し、さらに、チップ内の領域毎に算出した信号のばらつきをもとにしきい値を設定する手段により、検出しきい値を低減し、検出感度の向上およびスループットの向上を実現する。

Claim (excerpt)：

長手方向にはほぼ平行光からなるスリット状ビームを、回路パターンが形成された被検査対象基板に対して、該基板の法線方向から所定の傾きを有し、前記回路パターンの主要な直線群に対して平面上所定の傾きを有し、長手方向が前記被検査対象基板を載置して走行させるステージの走行方向に対してほぼ直角になるように照明する照明過程と、該照明過程で照明された被検査対象基板上に存在する異物等の欠陥から得られる反射散乱光をイメージセンサで受光して信号に変換して検出する検出過程と、該検出過程で検出された信号に基いて異物等の欠陥を示す信号を抽出する欠陥判定過程とを有することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (3)：

G01N 21/956 ,  G01B 11/30 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01N 21/956 B ,  G01B 11/30 A ,  H01L 21/66 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

• ウエハの異物検出受光系
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-132519   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
• 半導体ウエハの検査方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-117814   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体ウェハの不良解析装置及び不良解析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-101181   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• バンプ検査用データの教示方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-067602   Applicant：オムロン株式会社
• 異物検出方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-286147   Applicant：株式会社日立製作所
• 欠陥検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044131   Applicant：株式会社ニコン
• 半導体チップの外観検査方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-333166   Applicant：シャープ株式会社
• 物体表面の欠陥の光学的検査法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-155362   Applicant：オアボットインストルメンツリミテッド
• 異物検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-056318   Applicant：信越半導体株式会社
• 欠陥検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061040   Applicant：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
• 特開平4-094148
  

Cited by examiner (10)

• ウエハの異物検出受光系
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-132519   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
• 半導体ウエハの検査方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-117814   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体ウェハの不良解析装置及び不良解析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-101181   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• バンプ検査用データの教示方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-067602   Applicant：オムロン株式会社
• 異物検出方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-286147   Applicant：株式会社日立製作所
• 欠陥検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044131   Applicant：株式会社ニコン
• 半導体チップの外観検査方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-333166   Applicant：シャープ株式会社
• 物体表面の欠陥の光学的検査法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-155362   Applicant：オアボットインストルメンツリミテッド
• 異物検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-056318   Applicant：信越半導体株式会社
• 欠陥検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061040   Applicant：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社