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J-GLOBAL ID：200903002748576787

不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法

Inventor：
神谷 栄二

About 神谷 栄二

, 
有留 誠一

About 有留 誠一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997172450
Publication number (International publication number)：1999017156
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】本発明は、フラッシュEEPROMにおいて、微細化にともなうコンタクトの未開孔やゲート-コンタクト間ショートなどの不良の発生を防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、メモリセル群のコンタクトのPEPを行う際に、列方向における複数のセルトランジスタの、各ドレイン拡散層120bの相互を絶縁するための、フィールド酸化膜上の層間絶縁膜130だけを残すように、複数のレジストパターン150を島状に配置する。そして、その島状のレジストパターン150をマスクに用いて、各ドレイン拡散層120bのそれぞれに通じるコンタクトホール、および、各ソース拡散層120aに共通に通じるコンタクトホールを開孔する構成となっている。
Claim (excerpt)：
第一導電型を有する半導体基板と、前記半導体基板上に所定の間隔をもって略平行に設けられた、少なくとも二つのゲート電極と、前記ゲート電極の相互間に対応する、前記半導体基板の表面領域に設けられた、第二導電型を有する第一の半導体領域と、前記ゲート電極を間にして、前記第一の半導体領域とは反対側に位置する、前記半導体基板の表面領域にそれぞれ設けられた、第二導電型を有する第二の半導体領域と、前記第一,第二の半導体領域にそれぞれつながる、マトリックス状に配設されたコンタクト部とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (4)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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