レーザ照射装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：高橋敬四郎 , 来山幹雄 , 鵜飼伸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007178414
Publication number (International publication number)：2007288219
Application date： Jul. 06, 2007
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：

【課題】表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法に用いることができるレーザ照射装置を提供する。【解決手段】レーザ照射装置は、パルスレーザビームである第1のレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、連続波レーザビームまたはパルスレーザビームである第2のレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、入射したレーザビームのビーム断面形状の整形及びビーム断面内の光強度分布の均一化の少なくとも一方を行う回折光学素子と、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを、前記回折光学素子のレーザビームを入射させる表面の相互に異なる位置に入射させる入射光学系とを有する。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

パルスレーザビームである第1のレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、連続波レーザビームまたはパルスレーザビームである第2のレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、入射したレーザビームのビーム断面形状の整形及びビーム断面内の光強度分布の均一化の少なくとも一方を行う回折光学素子と、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを、前記回折光学素子のレーザビームを入射させる表面の相互に異なる位置に入射させる入射光学系とを有するレーザ照射装置。

IPC (1)：

H01L 21/268

FI (1)：

H01L21/268 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

レーザ照射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-206586 Applicant：ソニー株式会社
レーザ光学システムおよびレーザ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-308157 Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (10)

レーザ加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-194996 Applicant：住友重機械工業株式会社, 日本電気株式会社
レーザアニーリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-285471 Applicant：三菱電機株式会社
多結晶シリコンの製造方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008725 Applicant：三星電子株式会社

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