半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (12)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005291927
Publication number (International publication number)：2007103690
Application date： Oct. 05, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：

【課題】高い反射率を有する金属からなる反射電極をその反射率を低下させることなく形成できるようにする。【解決手段】半導体発光装置は、n型半導体層11とp型半導体層13とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層12とを有している。p型半導体層11の上には、活性層12からの発光光に対して高い反射率を持つ金属からなる反射電極14と、該反射電極14の上に形成された非金属からなる保護層15と、該保護層15の上に形成され、反射電極14と開口溝15aを介して電気的に接続された第1のカバー電極16とが形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1伝導型の第1の半導体層と、第2伝導型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体との間に形成された活性層と、前記第1の半導体層における前記活性層の反対側の面上に形成され、前記活性層からの発光光を反射する第1の金属からなる反射電極と、前記反射電極における前記第1の半導体層の反対側の面上に形成された非金属からなる保護層と、前記保護層における前記反射電極の反対側の面上に形成され且つ前記反射電極と電気的に接続された第2の金属からなるカバー電極とを備えていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 E

F-Term (15)：

5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA81 , 5F041CA85 , 5F041CA91 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F041CA99 , 5F041DA09 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345584 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-200298 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (8)

III族窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-120269 Applicant：豊田合成株式会社
発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-065489 Applicant：三洋電機株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-349445 Applicant：三菱電線工業株式会社

Show all

Return to Previous Page