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J-GLOBAL ID：200903004658625412

スピン偏極電子発生装置

Inventor：
中西 彊

About 中西 彊


Applicant, Patent owner：
国立大学法人名古屋大学

About 国立大学法人名古屋大学


Agent (1)： 池田 治幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006084303
Publication number (International publication number)：2007258119
Application date： Mar. 24, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：
【課題】従来のものより2桁以上高い電流密度のスピン偏極電子線を生成できるスピン偏極電子発生装置を提供する。【解決手段】スピン偏極電子発生装置10において、励起光入射装置46は、スピン偏極電子発生素子22の半導体基板62側から励起光を入射し超格子半導体光電層66に収束させるものであることから、直列的に配設された貫通孔を有するアノード電極、ソレノイドレンズ、偏向電磁石(スピンマニピュレータ)を順次通してスピン偏極電子発生素子の表面に励起光を収束させる従来の場合に比較して、励起光入射装置46の収束レンズ54とスピン偏極電子発生素子22との間の焦点距離fを少なくとも1/10程度に大幅に短縮できるので、スピン偏極電子発生素子22に収束される励起光Lのスポット径を格段に小さくすることができ、高い電流密度のスピン偏極電子線Bを得ることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板の一面において結晶成長させられた格子定数が互いに相違し且つ互いに隣接する少なくとも一対の第1半導体層および第2半導体層が成長させられることにより構成されて価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備えたスピン偏極電子発生素子と、該スピン偏極電子発生素子の半導体光電層に励起光を入射させる励起光入射装置とを含み、該半導体光電層に励起光が収束されることによって該半導体光電層からスピン方向が偏在しているスピン偏極電子を発生させる形式のスピン偏極電子発生装置であって、 前記励起光入射装置は、前記スピン偏極電子発生素子の基板側から前記半導体光電層に励起光を収束させるものであることを特徴とするスピン偏極電子発生装置。
IPC (2)：
H01J 37/073 ,  H01J 1/34
FI (2)：
H01J37/073 ,  H01J1/34 C
F-Term (2)：
5C030CC10 ,  5C235CC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 偏極電子線発生素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-257983   Applicant：大同特殊鋼株式会社
Cited by examiner (8)
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