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J-GLOBAL ID:200903004712166070
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人 武和国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007073138
Publication number (International publication number):2008235579
Application date: Mar. 20, 2007
Publication date: Oct. 02, 2008
Summary:
【課題】エッチング加工精度が向上され、異物及び汚染物質の更なる低減が得られるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】真空容器101内にアンテナ102と電極103を配置し、これらに印加すべき高周波に例えば180°の位相差を与えるとともに、所定のデューティ比でオンオフするようにしたプラズマ処理装置において、位相コントローラ123を設け、オンオフの立ち上がりをフィードバック制御し、オンオフの位相ズレが生じないようにしたもの。【選択図】図1
Claim (excerpt):
真空容器内に配置され、その上面に処理対象のウェハが載せられる試料台と、この試料台内に配置され、高周波が供給される第1の電極と、前記真空容器内の前記試料台上方で前記ウェハに対向に配置され、高周波が供給される第2の電極と、前記試料台の周囲を囲んで配置され、接地された側壁とを備え、前記第1及び第2の電極間と前記側壁との間の空間にプラズマを形成するプラズマ処理装置であって、
前記第1の電極に高周波を供給する第1の電源と前記第2の電極に高周波を供給する第2の電源による夫々の高周波の位相を所定角度ずらす第1の信号と、前記夫々の高周波を変調させる第2の信号と、前記各々の高周波の変調出力の立ち上がりを同期させる第3の信号を発生する制御手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2):
FI (3):
H01L21/302 101D
, H05H1/46 M
, H01L21/302 101B
F-Term (4):
5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004CA03
, 5F004CB05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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特公平4-69415号公報
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プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-268095
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-117846
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-198376
Applicant:東京エレクトロン山梨株式会社
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プラズマ処理装置および方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-275893
Applicant:株式会社日立製作所
-
プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-341723
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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誘導結合されたプラズマを用いて基板をエッチングするための装置および方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-511711
Applicant:ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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特公平4-069415
-
反応性イオンエッチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-193951
Applicant:日本真空技術株式会社
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プラズマ生成装置用高周波電源装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-180730
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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Cited by examiner (8)
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プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
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Application number:特願2005-117846
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
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Application number:特願2002-268095
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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プラズマ処理装置
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Application number:特願平4-198376
Applicant:東京エレクトロン山梨株式会社
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Application number:特願2004-341723
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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Application number:特願2001-511711
Applicant:ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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特公平4-069415
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反応性イオンエッチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-193951
Applicant:日本真空技術株式会社
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