発光ダイオード

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：樋口武尚
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997335390
Publication number (International publication number)：1999168235
Application date： Dec. 05, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】同一面側に正負一対の電極を有するLEDチップを基板の配線パターンに電気的に接続する一方で、光の取り出し効率を向上する。【解決手段】同一面側に正負一対の電極を有するLEDチップ13をフリップチップボンディングによりバンプ15を介して基板11の配線パターン12に電気的に接続する。LEDチップ13の下面には反射層14を設ける。LEDチップ13の下面側はアンダーフィル樹脂16を充填する。LEDチップ13の光出射面側である上面側に影となる電極が存在せず、発光面積が増大すると共に、発光層からの下向きの光は反射層14に反射され、全体として光の取り出し効率が向上する。

Claim (excerpt)：

一対の配線パターンを有する基板と、同一面側に正負一対の電極を有し、前記両電極を前記基板の両配線パターンにそれぞれバンプを介して電気的に接続したLEDチップとを具備することを特徴とする発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211294 Applicant：シャープ株式会社
LED素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-079909 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114942 Applicant：日亜化学工業株式会社

発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-224110 Applicant：旭化成工業株式会社

光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078597 Applicant：日亜化学工業株式会社

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-104879 Applicant：富士通株式会社

フリップチップ実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053329 Applicant：富士通株式会社

フリップ・チップ半導体素子にアンダーフィルを行う方法およびそれによって製造された素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-338899 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-176709 Applicant：株式会社シチズン電子

特開平2-226610

特開昭55-009442

閉空洞LEDとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-085235 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-341612 Applicant：株式会社東芝

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-349964 Applicant：豊田合成株式会社

特開昭50-151483

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