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J-GLOBAL ID：200903073585233091

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  高橋 俊明 ,  渡辺 淳 ,  石原 俊信 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001070217
Publication number (International publication number)：2002268227
Application date： Mar. 13, 2001
Publication date： Sep. 18, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、0≦o≦3、0≦p≦3、m+n=3、o+p=3、0<n+p≦6の範囲である。R<SP>3</SP>はフッ素原子を含まない親水性基である。a、bは正数を示す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、及びプラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF<SB>2</SB>エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよい。R<SP>2</SP>は酸不安定基であり、0≦m≦3、0≦n≦3、0≦o≦3、0≦p≦3、m+n=3、o+p=3、0<n+p≦6の範囲である。R<SP>3</SP>はフッ素原子を含まない親水性基である。a、bは正数を示す。)

IPC (7)：

G03F 7/075 521 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/075 521 ,  C08G 77/22 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/08 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (47)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002CP091 ,  4J002CP101 ,  4J002EN008 ,  4J002EN137 ,  4J002EQ017 ,  4J002EV237 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002FD208 ,  4J002FD209 ,  4J002GP03 ,  4J035BA12 ,  4J035CA03N ,  4J035CA031 ,  4J035CA08N ,  4J035CA081 ,  4J035CA09N ,  4J035CA091 ,  4J035CA16N ,  4J035CA161 ,  4J035CA22N ,  4J035CA221 ,  4J035CA26N ,  4J035CA261 ,  4J035CA301 ,  4J035EB02 ,  4J035LA03 ,  4J035LB16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

• ポリシロキサン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-300517   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ポリシロキサン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-019834   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-159834   Applicant：信越化学工業株式会社
• ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-048643   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-303204   Applicant：東レ株式会社
• 共重合ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-107207   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ケイ素含有脂環式化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-291089   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ケイ素含有脂環式化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-318752   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070196   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-070208   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140211   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140891   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

Cited by examiner (12)

• ポリシロキサン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-300517   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ポリシロキサン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-019834   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
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• ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
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• 感放射線性組成物
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• 共重合ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
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• ケイ素含有脂環式化合物
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• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
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• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
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