高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001140891
Publication number (International publication number)：2002332353
Application date： May. 11, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子又はシアノ基を含んでいてもよい。R2は炭素数3〜20の環状の(c+1)価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。R3は酸不安定基である。a、bは正数であり、cは1〜4の整数である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の環状の2価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子又はシアノ基を含んでいてもよい。R2は炭素数3〜20の環状の(c+1)価の炭化水素基であり、有橋環式炭化水素基であってもよく、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。R3は酸不安定基である。a、bは正数であり、cは1〜4の整数である。)

IPC (7)：

C08G 77/26 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (7)：

C08G 77/26 , C08K 5/00 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

F-Term (40)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 4J002CP171 , 4J002EB006 , 4J002EQ016 , 4J002ES016 , 4J002EU026 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J035BA11 , 4J035CA101 , 4J035CA20N , 4J035CA201 , 4J035GA01 , 4J035GB08 , 4J035LA03 , 4J035LB16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (15)

高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-029321 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-227633 Applicant：信越化学工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-077042 Applicant：ジェイエスアール株式会社

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Cited by examiner (15)

高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-029321 Applicant：信越化学工業株式会社
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