接合方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西川惠清 , 森厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006346536
Publication number (International publication number)：2008155245
Application date： Dec. 22, 2006
Publication date： Jul. 10, 2008
Summary：

【課題】接合特性の安定性および接合歩留まりの向上を図れる接合方法を提供する。【解決手段】接合対象物を導入した接合室内を真空排気する真空排気工程(S3)と、真空排気工程(S3)の後に接合対象物の接合部位の表面にイオンビームもしくは原子ビームもしくはプラズマを照射して接合部位の表面を活性化する表面活性化工程(S5)と、表面活性化工程(S5)の後に接合対象物の接合部位同士を接合する接合工程(S6)とを備える。真空排気工程(S3)と表面活性化工程(S5)との間に、接合対象物の接合部位を加熱する加熱工程(S4)を設け、表面活性化工程(S5)と接合工程(S6)とは、接合対象物の接合部位へのガス成分の吸着を防止するために接合対象物の接合部位を加熱した状態で行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

接合対象物を導入した接合室内を真空排気する真空排気工程と、真空排気工程の後に接合対象物の表面を活性化する表面活性化工程と、表面活性化工程の後に接合対象物の接合部位同士を接合する接合工程とを備え、表面活性化工程と接合工程とは、接合対象物を加熱した状態で行うことを特徴とする接合方法。

IPC (6)：

B23K 20/00 , B23K 20/14 , B23K 20/24 , B81C 3/00 , H01L 23/20 , H01L 23/26

FI (7)：

B23K20/00 310A , B23K20/00 310L , B23K20/14 , B23K20/24 , B81C3/00 , H01L23/20 , H01L23/26

F-Term (8)：

4E067AA18 , 4E067BA03 , 4E067DA05 , 4E067DB01 , 4E067DC02 , 4E067DC04 , 4E067EA05 , 4E067EC03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

シリコンウェハーの常温接合法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-268028 Applicant：工業技術院長
接合方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-346111 Applicant：東レエンジニアリング株式会社

Cited by examiner (10)

接合装置及び接合方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-332752 Applicant：株式会社荏原製作所
素子の気密封止体の作製方法及びリフロー炉
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-179967 Applicant：ソニー株式会社
電極気密封止を用いた高信頼性半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-250443 Applicant：シャープ株式会社, 須賀唯知, 沖電気工業株式会社, 三洋電機株式会社, ソニー株式会社, 株式会社東芝, 日本電気株式会社, 富士通株式会社, 松下電器産業株式会社, 株式会社ルネサステクノロジ, ローム株式会社

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