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J-GLOBAL ID：200903009171343316

電磁変換積層体、電磁変換素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気再生装置、ならびに電磁変換素子の製造方法

Inventor：
麻谷 崇史

About 麻谷 崇史

, 
木村 富士巳

About 木村 富士巳


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (2)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002239456
Publication number (International publication number)：2004079850
Application date： Aug. 20, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：
【課題】フリー層の磁区を制御し、MR素子を小型化した場合においても十分な再生出力を得ることが可能な磁気再生装置を提供する。【解決手段】非磁性交換結合層43を介して半硬磁性層42と第1の強磁性層(フリー層)44とが互いに交換結合された積層構造を含むように、MR素子30を構成する。硬磁性層を利用した隣接接合型構造とは異なり、半硬磁性層42から第1の強磁性層44に印加される磁気バイアスの分布が均一化され、第1の強磁性層44が単磁区化される。しかも、半硬磁性層42は軟磁性と硬磁性との中間の適度な保持力を有するため、第1の強磁性層44の磁化方向44Jが固定されない。第1の強磁性層44の磁化方向44Jが容易に回転可能となり、これにより磁気抵抗変化率が確保されるため、MR素子30を小型化した場合においても十分な再生出力が得られる。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
一対の対向面を有する第1の強磁性層と、この第1の強磁性層の一方の面側に隣接された非磁性層と、この非磁性層に隣接された第2の強磁性層と、この第2の強磁性層に隣接された反強磁性層とを含む積層構造をなす電磁変換積層体であって、 前記第1の強磁性層の他方の面側に隣接された非磁性交換結合層と、 この非磁性交換結合層に隣接され、前記非磁性交換結合層を介して前記第1の強磁性層と交換結合された半硬磁性層と を備えたことを特徴とする電磁変換積層体。
IPC (3)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L43/12
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01L43/12
F-Term (3)：
5D034BA03 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (7)
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