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J-GLOBAL ID：200903009591375388

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
佐藤 健一郎

About 佐藤 健一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003359314
Publication number (International publication number)：2005122035
Application date： Oct. 20, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：
【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、コンタクトホール及びトレンチパターン形成において広いプロセスウインドウをもつポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】分子鎖の少なくとも一方の末端にカルボキシル基を有し、脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(A)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)分子鎖の少なくとも一方の末端にカルボキシル基を有し、脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (3)：
G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  H01L21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  C08F220/28 ,  H01L21/30 502R
F-Term (42)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AL03R ,  4J100AL04R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA12Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BA35P ,  4J100BA58P ,  4J100BB01R ,  4J100BC01P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC43R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (9)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 高分子の合成と反応(1), 1992, 93

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