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J-GLOBAL ID：200903034604976003

フォトレジスト用高分子化合物、及びフォトレジスト組成物

Inventor：
新井 隆

About 新井 隆


Applicant, Patent owner：
ダイセル化学工業株式会社

About ダイセル化学工業株式会社


Agent (1)： 後藤 幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000209287
Publication number (International publication number)：2002020424
Application date： Jul. 11, 2000
Publication date： Jan. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 アルカリ可溶性や基板密着性等のレジスト特性、特に基板密着性に優れたフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 フォトレジスト用高分子化合物は、分子内に酸素原子含有基又は置換若しくは無置換アミノ基を有する重合開始剤を用いた重合反応により得られるビニル重合体からなる。前記重合開始剤として、例えばアゾ系ラジカル重合開始剤を使用できる。前記酸素原子含有基として、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換オキシ基、置換オキシカルボニル基、アシル基、置換又は無置換カルバモイル基、ヒドロキシイミノ基、置換オキシイミノ基、ニトロ基などが挙げられる。また、前記ビニル重合体として、例えば、(メタ)アクリル系モノマーの単独若しくは共重合体又は(メタ)アクリル系モノマーと他のモノマーとの共重合体が挙げられる。
Claim (excerpt)：
分子内に酸素原子含有基又は置換若しくは無置換アミノ基を有する重合開始剤を用いた重合反応により得られるビニル重合体からなるフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (4)：
C08F 20/00 ,  C08F 4/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C08F 20/00 ,  C08F 4/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (28)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  4J015AA01 ,  4J015AA04 ,  4J015AA06 ,  4J015AA07 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL16P ,  4J100BA03P ,  4J100BA16P ,  4J100BC09P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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