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J-GLOBAL ID：200903013626725082

電子電界放出カソードを使用するX線発生機構

Inventor：
ゾウ, オットー, ゼット.

About ゾウ, オットー, ゼット.

, 
ル, ジアンピング

About ル, ジアンピング


Applicant, Patent owner：
ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ - チャペル ヒル

About ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ - チャペル ヒル


Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002535152
Publication number (International publication number)：2004511884
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
X線発生装置は、少なくとも4A/cm2の放出電子流密度を有するナノ構造(1110)含有材料から少なくとも一部が形成されている電界放出カソードを含む。カソード(1110)と、ゲート又はアノード(1130)との間で冷カソード放出電子を集束することが容易であり、かつ異なるアノード材料(1130)で電子ビームを集束するために、高いエネルギー変換効率及びコンパクトな構造(1100)が実現され、エネルギーの異なるパルスX線放射を1つの装置から発生させることが可能である。
Claim (excerpt)：
チャンバと、 4A/cm2を超える放出電子流密度を持つナノ構造含有材料を含む電界放出カソードと、 アノードターゲットと、 前記カソードと前記アノードターゲットとの間に印加される電位により発生する加速電界と を有することを特徴とするX線発生装置。
IPC (7)：
H01J35/06 ,  A61B6/00 ,  A61B6/03 ,  G21K5/02 ,  G21K5/08 ,  H01J35/08 ,  H05G1/00
FI (9)：
H01J35/06 B ,  H01J35/06 A ,  A61B6/00 300B ,  A61B6/00 333 ,  A61B6/03 373 ,  G21K5/02 X ,  G21K5/08 X ,  H01J35/08 A ,  H05G1/00 D
F-Term (19)：
4C092AA01 ,  4C092AB21 ,  4C092AB23 ,  4C092AC01 ,  4C092BD04 ,  4C092BD05 ,  4C092CD02 ,  4C092CD03 ,  4C092CE02 ,  4C092CE06 ,  4C092CE07 ,  4C093AA16 ,  4C093AA22 ,  4C093AA24 ,  4C093CA04 ,  4C093CA32 ,  4C093EA02 ,  4C093EA07 ,  4C093FF34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
  • 単層ナノチューブの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-285360   Applicant：大阪瓦斯株式会社
  • 電子銃
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-271625   Applicant：伊勢電子工業株式会社
  • X線源
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-350629   Applicant：株式会社荏原製作所
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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