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J-GLOBAL ID:200903015620742735

レジスト下層膜用組成物の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999197300
Publication number (International publication number):2001022082
Application date: Jul. 12, 1999
Publication date: Jan. 26, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】レジストパターンの再現性、レジストとの密着性、現像液に対する耐性に優れ、レジストの酸素アッシング時の膜減りの少ないレジスト下層膜用組成物の製造方法を提供する。【解決手段】一般式(1)又は(2)からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を一般式(3)で表される有機溶剤と触媒の存在下で加水分解及び/又は縮合させる。R1aSi(OR2)4-a・・・・・(1)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・(2)R8O(R12O)eR9・・・・・(3)(R1は水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を、R2〜R6は1価の有機基を、R7は酸素原子又は(CH2)n-を、a〜cは0〜2、dは0又は1、nは1〜6の数を示す。)
Claim (excerpt):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を下記一般式(3)で表される有機溶剤と触媒の存在下で加水分解および/または縮合させることを特徴とするレジスト下層膜用組成物の製造方法。R8O(R12O)eR9 ・・・・・(3)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシカルボニル基およびフェニル基から選ばれる1価の有機基を示し、R12はアルキレン基を示し、eは1〜2の整数を表す。)
IPC (4):
G03F 7/11 503 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/14 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/11 503 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/14 ,  H01L 21/30 574
F-Term (36):
2H025AA00 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA08 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BJ10 ,  2H025CC06 ,  2H025DA35 ,  4J002CP021 ,  4J002CP031 ,  4J002CP081 ,  4J002CP141 ,  4J002DD017 ,  4J002DF027 ,  4J002DG047 ,  4J002DH027 ,  4J002EA016 ,  4J002EC036 ,  4J002EC046 ,  4J002EC077 ,  4J002ED026 ,  4J002ED056 ,  4J002EF037 ,  4J002EF057 ,  4J002EF067 ,  4J002EF097 ,  4J002EH036 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  5F046HA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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