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J-GLOBAL ID：200903016880745858

基板処理方法および基板処理装置

Inventor：
高森 秀之

About 高森 秀之

, 
立山 清久

About 立山 清久

, 
溝崎 健吾

About 溝崎 健吾

, 
穴井 徳行

About 穴井 徳行


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999079216
Publication number (International publication number)：2000106341
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 レジスト膜の膜厚の不均一および回路パターンの線幅の変動の指標である転写を防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】 レジスト液が塗布された基板に露光処理および現像処理を施すにあたり、基板Gにレジスト液を塗布した後、このレジスト液が塗布された基板Gを実質的に非加熱で乾燥処理し、その後、加熱乾燥処理する。具体例としては、シャワーヘッド82から基板Gに不活性ガス等が吹き付けられて、基板Gに塗布されたレジスト液が乾燥される。
Claim (excerpt)：
レジスト液が塗布された基板に露光処理および現像処理を施すにあたり、基板上のレジスト液を加熱して乾燥させる基板処理方法であって、基板にレジスト液を塗布した後、このレジスト液が塗布された基板を実質的に非加熱で乾燥処理し、その後、加熱乾燥処理することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/30 501
FI (2)：
H01L 21/30 566 ,  G03F 7/30 501
F-Term (9)：
2H096AA25 ,  2H096CA14 ,  2H096DA01 ,  2H096DA03 ,  5F046JA05 ,  5F046JA07 ,  5F046JA09 ,  5F046JA15 ,  5F046JA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
  • 塗布膜の乾燥方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-295234   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開昭62-022431
  • 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-069419   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
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