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J-GLOBAL ID：200903017403677103

面発光型半導体レーザ素子の製造方法および結晶成長装置、ならびにこれらを用いて形成した面発光型半導体レーザ素子、該面発光型半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システム

Inventor：
佐藤 俊一

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高橋 孝志

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軸谷 直人

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伊藤 彰浩

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上西 盛聖

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Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002029822
Publication number (International publication number)：2003142776
Application date： Feb. 06, 2002
Publication date： May. 16, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高品質で実用レベルのGaInNAs面発光型半導体レーザ素子の製造方法および該製造方法を実現するための結晶成長装置、これらを用いて形成した面発光半導体レーザ素子、該面発光半導体レーザ素子を用いた光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システムを提供する。【解決手段】 半導体基板20上に、活性層を含んだ活性領域23と、活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡21,25を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子の製造方法で、活性層23は、Ga,In,N,Asを主成分として含み、半導体基板20と活性層23との間に形成される下部反射鏡21は屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、活性層23はMBE法で成長し、反射鏡のうち少なくともp側の反射鏡(例えば、反射鏡25)はMOCVD法で成長する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、レーザ光を発生する少なくとも1層の活性層を含んだ活性領域と、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有し、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡のうちの1つがp側半導体の反射鏡である面発光型半導体レーザ素子の製造方法であって、前記活性層は、Ga,In,N,Asを主成分として含み、前記反射鏡のうち少なくともp側半導体の反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、前記活性層は、MBE法で成長され、前記反射鏡のうち少なくともp側半導体の反射鏡はMOCVD法で成長されることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (5)：
H01S 5/183 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610
FI (5)：
H01S 5/183 ,  C30B 29/40 502 Z ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610
F-Term (33)：
4G077AA03 ,  4G077BE47 ,  4G077BE48 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  4G077EG29 ,  4G077EG30 ,  4G077HA02 ,  5F045AA05 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045HA24 ,  5F073AA07 ,  5F073AA11 ,  5F073AA22 ,  5F073AA51 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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