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J-GLOBAL ID：200903017664011757

プラズマ処理装置用の電極、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体

Inventor：
本田 昌伸

About 本田 昌伸

, 
檜森 慎司

About 檜森 慎司


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008050745
Publication number (International publication number)：2009212129
Application date： Feb. 29, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：
【課題】被処理基板の中央部におけるプラズマの電界強度を低くして、これによりプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なエッチング装置用の上部電極及びこの上部電極を備えたエッチング装置を提供すること。【解決手段】上部電極の中央部に誘電体を注入するための空間である凹部を設けて、この空間に誘電体を供給する誘電体供給路と誘電体を排出する誘電体排出路を接続する。そして、エッチング処理を行うウェハの種類や使用する処理ガスなどの処理条件において生成するプラズマの電界強度の面内分布に応じて、この電界強度の面内分布が均一となるように、凹部内に誘電体を供給する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板が載置される下部電極に対向して設けられ、この下部電極との間に高周波電力が供給されてプラズマを発生させ、前記基板に対してプラズマ処理を行うための電極であって、 前記下部電極に対向するように設けられた電極板と、 この電極板における前記下部電極とは反対側に設けられ、当該電極板を支持する支持体と、 この支持体に形成され、処理空間の電界強度を調整するための誘電体を注入するための誘電体注入空間と、 前記誘電体注入空間に誘電体供給路を介して接続され、当該誘電体注入空間に誘電体を供給するための誘電体供給源と、 前記誘電体注入空間に接続され、当該誘電体注入空間から誘電体を排出するための誘電体排出路と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理用の電極。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (2)：
H01L21/302 101B ,  H05H1/46 M
F-Term (9)：
5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004CA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
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