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J-GLOBAL ID:200903098603159794

真空反応室及びその処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 竹本 松司 ,  杉山 秀雄 ,  湯田 浩一 ,  魚住 高博 ,  手島 直彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006213903
Publication number (International publication number):2007048748
Application date: Aug. 04, 2006
Publication date: Feb. 22, 2007
Summary:
【課題】上下電極のエッジ部分における電界強度不均一(エッジ効果)を解決する真空反応室及びその処理方法の提供。【解決手段】真空反応室は第一電極11、第二電極12、チャンバ筐体15、及びこれらにより構成されるチャンバを含む。前記チャンバ中には多周波のRF源HF,LFにより励起されるプラズマ14が形成され、前記チャンバのチャンバ筐体15と第一電極間11には誘電材料により形成される中空リング21が設置される。中空リング21内には液体31を収容可能な環状槽22が設置され、第一電極11とアースに接続されたチャンバ筐体15間の等価誘電率を効果的に変化させることができる。【選択図】図5
Claim (excerpt):
第一電極、第二電極、チャンバ筐体、及びこれらにより構成されるチャンバを含み、該チャンバ中には単周波あるいは多周波のRF源により励起されるプラズマが形成され、 チャンバのチャンバ筐体と第一電極間には少なくとも1個の誘電材料により形成される調節部品が設置され、該調節部品はチャンバ筐体と第一電極間の等価誘電率調整に用いられることを特徴とする真空反応室。
IPC (4):
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/509
FI (4):
H05H1/46 M ,  H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  C23C16/509
F-Term (19):
4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EH01 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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