Pat
J-GLOBAL ID：200903070902335556

プラズマ処理装置

Inventor：
山澤 陽平

About 山澤 陽平


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006091406
Publication number (International publication number)：2007266436
Application date： Mar. 29, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：
【課題】容量結合型の片側電極(特に下部電極)に周波数の異なる2つの高周波を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化できるようにする。【解決手段】下部電極と基板保持台を兼ねるサセプタ14は、上下に2分割された上部サセプタ電極16および下部サセプタ電極18を有している。第1高周波電源22より出力されるたとえば2MHzの第1高周波は、整合器24、給電棒26および円筒給電体20を通って上部サセプタ電極16に供給され、上部サセプタ電極16の主面(上面)より上方のプラズマ空間PSに向けて放出される。第2高周波電源34より出力されるたとえば40MHzの第2高周波は、整合器36および給電棒38を通って下部サセプタ電極18に供給され、下部サセプタ電極18の主面(上面)より上方のプラズマ空間PSに向けて放出される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
真空排気可能な処理容器と、 前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の下部電極と、 前記第1の下部電極と対向してその上方に配置される上部電極と、 前記第1の下部電極から電気的に絶縁された状態でその下に配置される第2の下部電極と、 前記上部電極と前記第1の下部電極との間の空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、 前記第1の下部電極に第1の周波数を有する第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、 前記第2の下部電極に前記第1の周波数よりも高い第2の周波数を有する第2の高周波を印加する第2の高周波給電部と を有するプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/306 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L21/302 101D ,  C23C16/509 ,  H05H1/46 M
F-Term (15)：
4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030GA01 ,  4K030KA17 ,  4K030KA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM