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J-GLOBAL ID：200903017989790760

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 坂 喜久男 ,  山下 公彦 ,  竹森 俊之 ,  渡辺 祐司
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  新電元工業株式会社
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006318931
Publication number (International publication number)：2008098593
Application date： Nov. 27, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】トレンチ型パワーMOSFETにおいて、ソース電極膜とゲート電極を制御よく絶縁し、かつソース電極膜のボイドの発生を防止する。【解決手段】パワーMOSFETは、ドレインを構成する半導体基板1,3、半導体基板3の表面に形成されたトレンチ5、トレンチ5内にゲート絶縁膜7を介して形成されたポリシリコンからなるゲート電極9、半導体基板3の表面側に形成されたボディ拡散層11、半導体基板3の表面にソース拡散層13、ゲート電極9上に形成された層間絶縁膜18、半導体基板3上に形成されたソース電極膜19を備えている。ゲート電極9の上面及び層間絶縁膜18の上面はトレンチ5内で半導体基板3の表面よりも落ち込んで形成されており、トレンチ5の半導体基板表面部分5aがテーパ形状に形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ドレインを構成する半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されたトレンチと、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンからなるゲート電極と、前記半導体基板の表面側に前記トレンチに隣接して前記トレンチよりも浅く形成されたボディ拡散層と、前記半導体基板の表面に前記トレンチ及び前記ボディ拡散層に隣接して前記ボディ拡散層よりも浅く形成されたソース拡散層と、前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、前記ゲート電極とは絶縁され前記ボディ拡散層及び前記ソース拡散層と電気的に接続されて前記半導体基板上に形成された金属材料からなるソース電極膜をもつパワーMOSFETを備えた半導体装置において、 前記ゲート電極の上面及び前記層間絶縁膜の上面は前記トレンチ内で前記半導体基板の表面よりも落ち込んで形成されており、 前記トレンチの半導体基板表面部分がテーパ形状に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (6)：

H01L29/78 658D ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 658G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 改良された低電圧パワーMOSFET素子およびその製造処理
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-105673   Applicant：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
• トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-258687   Applicant：新電元工業株式会社

Cited by examiner (13)

• 縦型ゲート半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-347998   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-356579   Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-297218   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-001347   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-173796   Applicant：株式会社デンソー
• 特開平4-145628
  
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-229485   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• 特開平2-144971
  
• 縦型ゲート半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-112796   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-058485
  
• トレンチ・ゲート半導体装置の製造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-560187   Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-013426   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭63-181330