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J-GLOBAL ID：200903019291943126

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor：
水谷 一良

About 水谷 一良

, 
佐藤 健一郎

About 佐藤 健一郎

, 
安波 昭一郎

About 安波 昭一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000328968
Publication number (International publication number)：2001194794
Application date： Oct. 27, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高感度を有し、レジスト液の調製時に、あるいは経時保存後に不溶解物の析出を生じず、疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 特定のシリコン含有繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生するオニウム塩化合物及びフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、及びノニオン系界面活性剤のうち少なくとも1種を含有するポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位及び、下記一般式(IIa)で表される繰り返し単位と下記一般式(IIb)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生するオニウム塩化合物、及び(C)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、及びノニオン系界面活性剤のうち少なくとも1種を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。一般式(IIa)【化2】式(IIa)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から選ばれる基を表す。Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは炭素数5以上20以下の3級アルキル基、アルコキシメチル基、アルコキシエチル基、又はイソボロニル基を表す。一般式 (IIb)【化3】式(IIb)中、X1とX2は、それぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、-NH-、-NHSO2-から選ばれた基を表す。L1とL2は、それぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。A1は、-Q又は-COOQを表すが、X1が酸素原子で、L1が単結合を表す場合にはA1は-Qを表す。A2は水素原子、シアノ基、水酸基、-COOH、-COOR'、-CO-NH-R''、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良い環状炭化水素基、アルコキシ基、-Q又は-COOQを表す(ここでR'、R''はそれぞれ独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。)。Qは炭素数5以上20以下の3級アルキル基、アルコキシメチル基、アルコキシエチル基、又はイソボロニル基を表す。
IPC (13)：
G03F 7/039 601 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/03 ,  C08K 5/16 ,  C08K 5/375 ,  C08L 43/04 ,  C08L 71/02 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027
FI (13)：
G03F 7/039 601 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/03 ,  C08K 5/16 ,  C08K 5/375 ,  C08L 43/04 ,  C08L 71/02 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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