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J-GLOBAL ID:200903092424500965

ポジ型レジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萩野 平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999275334
Publication number (International publication number):2000187330
Application date: Sep. 28, 1999
Publication date: Jul. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】 高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができ、しかも現像欠陥か改善されたポジ型電子線またはX線レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (a)電子線またはX線の照射により酸を発生する化合物、(b)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂、および(c)フッ素系および/またはシリコン系界面活性剤を含有するポジ型電子線またはX線レジスト組成物において、電子線またはX線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも1つのフッ素原子及び/又はフッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であるポジ型電子線またはX線レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(a)電子線の照射により酸を発生する化合物(b)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂(c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有するポジ型電子線レジスト組成物において、該(a)電子線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも1つのフッ素原子及び/又は少なくとも1つのフッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とするポジ型電子線レジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 504 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 504 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
  • 化学増幅ポジ型レジスト材料
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-246873   Applicant:信越化学工業株式会社
  • レジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-084730   Applicant:日本ゼオン株式会社
  • ポジ型フォトレジスト組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-025369   Applicant:富士写真フイルム株式会社
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