窒化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997348972
Publication number (International publication number)：1999195812
Application date： Dec. 18, 1997
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【目的】主としてLED、LD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vfを低下させて素子の信頼性を向上させる。【構成】基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第1の窒化物半導体層と、n型不純物がドープされたn導電型の第2の窒化物半導体層と、アンドープの第3の窒化物半導体層とを有し、前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されている。第1の窒化物半導体層はアンドープであるので結晶性の良い下地層となり、n型不純物を結晶性良く成長でき、第3の窒化物半導体層は同じくアンドープであるので、第3の窒化物半導体層が結晶性の良い下地層となる。

Claim (excerpt)：

基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第1の窒化物半導体層と、n型不純物がドープされたn導電型の第2の窒化物半導体層と、アンドープの第3の窒化物半導体層とを有し、前記第2の窒化物半導体層にn電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (18)

3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213280 Applicant：住友化学工業株式会社
3-5族化合物半導体および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-177335 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007048 Applicant：松下電器産業株式会社

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