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J-GLOBAL ID:200903024258924225
ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 俊夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002057772
Publication number (International publication number):2003258067
Application date: Mar. 04, 2002
Publication date: Sep. 12, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 集積回路素子が縦横に配列された半導体ウエハをダイシングした後、ダイシングしたままの状態で各集積回路チップに対して検査装置により電気的特性の検査を行えるようにすること。【解決手段】 ウエハサイズよりも大きいリング状のフレームの内側に例えば紫外線により粘着性が小さくなる第1の粘着フィルム22を展張し、この上にウエハを貼り付ける。そして板状の治具3の上に両面の粘着性が加熱により小さくなる第2の粘着フィルム4を貼り付け、当該フィルムの上に前記第1のフィルムを貼り付け、その後ダイシングを行う。この場合ウエハは治具に貼り付いた状態となるため各チップの相対位置がずれない。従って治具ごと検査装置に搬入してチップの電極パッドとプローブとの位置合わせができるので例えば複数のチップについて一括して検査を行うことができる。
Claim (excerpt):
複数の集積回路素子が縦横に配列された半導体基板の裏面を少なくとも集積回路素子の配列領域の全体に亘って接着層を介して板状の治具に接着させる工程と、次いで切断刃により前記半導体基板を切断することにより各集積回路チップに分離する工程と、を含むことを特徴とするダイシング方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/68 N
, H01L 21/78 M
F-Term (6):
5F031CA02
, 5F031DA15
, 5F031HA78
, 5F031MA34
, 5F031MA39
, 5F031MA40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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半導体装置の検査方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-301418
Applicant:松下電器産業株式会社
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ダイシング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-321174
Applicant:株式会社村田製作所
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シリコンウエハの処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-142437
Applicant:日東電工株式会社
-
両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-170925
Applicant:リンテック株式会社
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特開昭62-069635
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特開昭62-069635
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半導体ウェーハの切断方法及び切断装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-092821
Applicant:トーワ株式会社
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ウエハ吸着装置とこれを用いた半導体装置製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-118058
Applicant:沖電気工業株式会社
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半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-250159
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平2-020038
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特開平2-020038
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ウェーハ保持プレート
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-209905
Applicant:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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半導体用粘着シートおよびその粘着シートを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-107698
Applicant:富士電機株式会社
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