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J-GLOBAL ID:200903025162881939
半導体レーザー
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉浦 正知
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993184436
Publication number (International publication number):1994334272
Application date: Jun. 29, 1993
Publication date: Dec. 02, 1994
Summary:
【要約】【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた、青色ないし緑色で発光が可能な低しきい値電流の半導体レーザーを実現する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6およびp型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7を順次積層してレーザー構造を形成する。活性層5は厚さが2〜20nmの単一のi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層から成るか、合計の厚さが2〜20nmの二つのi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層を含む。
Claim (excerpt):
化合物半導体基板上に積層された第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された第1の光導波層と、上記第1の光導波層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層された第2の光導波層と、上記第2の光導波層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第1のクラッド層、上記第1の光導波層、上記活性層、上記第2の光導波層および上記第2のクラッド層はZn<SB>1-x-y </SB>Cd<SB>x </SB>Mg<SB>y </SB>S<SB>a </SB>Te<SB>b </SB>Se<SB>1-a-b</SB>(ただし、0≦x<1、0≦y<1、0≦a<1、0≦b<1)系化合物半導体から成るとともに、上記活性層は単一の量子井戸層を有し、かつ上記量子井戸層の厚さは2〜20nmであることを特徴とする半導体レーザー。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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レーザダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-250912
Applicant:松下電器産業株式会社
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レーザダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-031695
Applicant:松下電器産業株式会社
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レーザダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-031694
Applicant:松下電器産業株式会社
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レーザダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-258905
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-051102
Applicant:株式会社東芝
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半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-349571
Applicant:株式会社金星社
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-244497
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-244499
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-265574
Applicant:国際電信電話株式会社
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特開平2-196485
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特開平4-288890
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特開昭62-026885
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