ネガ型レジスト組成物

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995093974
Publication number (International publication number)：1996292559
Application date： Apr. 19, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)架橋剤を含有して成るネガ型レジスト組成物において、(A)成分のアルカリ可溶性樹脂として、重量平均分子量1,000未満の低分子量部分を含まない分子量分布1〜1.4のポリヒドロキシスチレン系樹脂を用いたネガ型レジスト組成物である。【効果】このネガ型レジスト組成物は、マイクロブリッジの発生がなく、高解像性のレジストパターンを与えることができる上に、高感度であり、半導体素子や液晶素子などの製造に好適に用いられる。

Claim (excerpt)：

(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)架橋剤を含有して成るネガ型レジスト組成物において、(A)成分のアルカリ可溶性樹脂として、重量平均分子量1,000以下の部分を含まず、かつ分子量分布(Mw/Mn)1〜1.4のポリヒドロキシスチレン系樹脂を用いることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 505 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , G03F 7/038 505 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

ネガ型感放射線レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-101861 Applicant：東京応化工業株式会社
レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-248044 Applicant：富士通株式会社
特開平4-356505

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