Pat
J-GLOBAL ID:200903028269670158
原版及びマイクロニードルのパッチの製造方法、並びにマイクロニードルのパッチ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
新保 斉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006223600
Publication number (International publication number):2008046507
Application date: Aug. 18, 2006
Publication date: Feb. 28, 2008
Summary:
【課題】 比較的簡易な工程でありながらも、先端が鋭く表面平滑性の良好なマイクロニードルのパッチを製造する方法と、それによって得られる表面粗度の低いマイクロニードルを提供する。【解決手段】 フォトレジストの層の上に、複数の島状遮光部を有して部分的に遮光するフォトマスクを設けて、感光性部材を形成する感光性部材形成工程と、前記感光性部材の上方から光を照射して、前記フォトマスクにより前記フォトレジストの感光部位を選定制御する露光工程と、前記感光性部材からフォトマスクを除去し現像を行なうフォトレジスト処理工程と、を含む原版の製造方法において、前記露光工程に、前記感光性部材に対する光照射方向が相異なる複数の光照射を行なう方位調節照射工程を含む。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
基板上にフォトレジストからなる薄膜を形成する感光性薄膜形成工程と、
前記薄膜の上に、複数の島状遮光部を有するフォトマスクを配置するマスク配置工程と、
前記フォトマスクを介して前記薄膜に光源からの照射光を照射して、前記フォトマスクにより前記フォトレジストの感光部位を選定制御する露光工程と、
前記薄膜から前記フォトマスクを除去し現像を行なうフォトレジスト処理工程と、を含む原版の製造方法であって、
前記露光工程は、
前記薄膜に対して相異なる複数の方位から光を照射する調節を行う方位調節照射工程を含むことを特徴とする原版の製造方法。
IPC (3):
G03F 7/20
, A61M 37/00
, A61M 5/31
FI (3):
G03F7/20 501
, A61M37/00
, A61M5/31
F-Term (28):
2H097AA11
, 2H097BA10
, 2H097BB03
, 2H097LA15
, 2H097LA16
, 4C066AA09
, 4C066BB01
, 4C066CC01
, 4C066DD06
, 4C066FF03
, 4C066KK02
, 4C066KK03
, 4C167AA71
, 4C167BB02
, 4C167BB04
, 4C167BB05
, 4C167BB11
, 4C167BB25
, 4C167BB31
, 4C167BB39
, 4C167BB40
, 4C167CC01
, 4C167CC05
, 4C167GG01
, 4C167GG16
, 4C167GG21
, 4C167GG36
, 4C167GG42
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (11)
-
マイクロニードルアレイ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-109466
Applicant:学校法人立命館
-
シリコン針およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-008897
Applicant:大日本印刷株式会社
-
針状体及び針状体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-042373
Applicant:住友精密工業株式会社
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Cited by examiner (12)
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