現像済みフォトレジスト層をすすぐための方法および蒸発性の溶液

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002572625
Publication number (International publication number)：2004527113
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

現像室(20)内で半導体ウェハ(22)上のフォトレジスト層(30)を現像する方法は、フォトレジスト層(30)に現像液を与える段階,フォトレジスト層(30)に蒸発性の溶液(32)を与える段階およびウェハ(22)を乾燥する段階を含む。

Claim (excerpt)：

現像室(20)内で半導体ウェハ(22)上のフォトレジスト層(30)を現像する方法であって: フォトレジスト層(30)に現像液を与える段階; 前記フォトレジスト層(30)に蒸発性の溶液を与える段階;および前記フォトレジスト層(30)を乾燥する段階; を含む方法。

IPC (4)：

H01L21/027 , B05D7/00 , G03F7/32 , G03F7/38

FI (4)：

H01L21/30 569F , B05D7/00 H , G03F7/32 501 , G03F7/38 511

F-Term (21)：

2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096GA01 , 2H096GA18 , 2H096GA20 , 2H096JA04 , 2H096LA30 , 4D075BB24Z , 4D075BB65Y , 4D075BB69Y , 4D075BB79Y , 4D075CA47 , 4D075DA08 , 4D075DB14 , 4D075DC22 , 4D075EA07 , 4D075EA45 , 5F046LA12 , 5F046LA14 , 5F046LA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置の現像処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198444 Applicant：三菱電機株式会社
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-138557 Applicant：ソニー株式会社
レジストリンス液、及びレジスト現像処理法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-146137 Applicant：日本電信電話株式会社

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