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J-GLOBAL ID：200903029315158773

III族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： 柴田 直樹 ,  千代 敏明 ,  千田 昌伸 ,  伊藤 潤 ,  渡邉 大志 ,  浅見 慎也 ,  浅見 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191779
Publication number (International publication number)：2001168387
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【目的】 テクスチャー構造、断面台形状、若しくはピット状の表面形状を有する下地層においてIII族窒化物系化合物半導体からの光を実質的に全反射させる。【構成】 下地層におけるテクスチャー構造、断面台形状、若しくはピット状の表面の上に、チタン、ジルコニウム、ハフニウム及びタンタルから選ばれる1種又は2種以上の金属の窒化物からなる反射層を形成する。下地層の表面構造が反映されてこの反射層の表面もテクスチャー構造、断面台形状、若しくはピット状である。

Claim (excerpt)：

基板と、発光素子機能又は受光素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層と、前記基板と前記III族窒化物系化合物半導体層との間に形成される下地層であって、該下地層はIII族窒化物系化合物半導体で形成されてその表面がテクスチャー構造、断面台形状、若しくはピット状である下地層と、該下地層の表面に形成される反射層であって、チタン、ジルコニウム、ハフニウム及びタンタルから選ばれる1種又は2種以上の金属の窒化物からなり、その表面形状は前記下地層の表面形状を反映したものである反射層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/02 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/02 A

F-Term (33)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC19 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA55 ,  5F045EE12 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088FA02 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088GA03 ,  5F088HA09