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J-GLOBAL ID:200903030491210615

2層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡部 正夫 (外10名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002079429
Publication number (International publication number):2003005220
Application date: Mar. 20, 2002
Publication date: Jan. 08, 2003
Summary:
【要約】【目的】 本発明は画質を向上させることができる2層構造のソース及びドレイン電極を有する液晶表示素子及びその製造方法に関するものである。【解決手段】 本発明による液晶表示装置は基板上に形成されるゲート電極と、前記基板の上部に形成される第1半導体層と、前記第1半導体層の上部に所定の間隔に離隔されるように形成されて、同一のパターンの第1及び第2金属層に形成されるソース及びドレイン電極とを具備する。
Claim (excerpt):
基板上に形成されるゲート電極と、前記基板の上部に形成される第1半導体層と、前記第1半導体層の上部に所定の間隔に離隔されるように形成されて、同一のパターンの第1及び第2金属層に形成されるソース及びドレイン電極とを具備することを特徴とする2層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子。
IPC (5):
G02F 1/1368 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5):
G02F 1/1368 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 K
F-Term (68):
2H092JA26 ,  2H092JA27 ,  2H092JA29 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA17 ,  2H092NA01 ,  2H092NA23 ,  2H092NA24 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD72 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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