Pat
J-GLOBAL ID:200903030491210615
2層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡部 正夫 (外10名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002079429
Publication number (International publication number):2003005220
Application date: Mar. 20, 2002
Publication date: Jan. 08, 2003
Summary:
【要約】【目的】 本発明は画質を向上させることができる2層構造のソース及びドレイン電極を有する液晶表示素子及びその製造方法に関するものである。【解決手段】 本発明による液晶表示装置は基板上に形成されるゲート電極と、前記基板の上部に形成される第1半導体層と、前記第1半導体層の上部に所定の間隔に離隔されるように形成されて、同一のパターンの第1及び第2金属層に形成されるソース及びドレイン電極とを具備する。
Claim (excerpt):
基板上に形成されるゲート電極と、前記基板の上部に形成される第1半導体層と、前記第1半導体層の上部に所定の間隔に離隔されるように形成されて、同一のパターンの第1及び第2金属層に形成されるソース及びドレイン電極とを具備することを特徴とする2層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子。
IPC (5):
G02F 1/1368
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/336
, H01L 29/786
FI (5):
G02F 1/1368
, H01L 21/28 E
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 616 K
F-Term (68):
2H092JA26
, 2H092JA27
, 2H092JA29
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092KA05
, 2H092KA18
, 2H092KB25
, 2H092MA04
, 2H092MA17
, 2H092NA01
, 2H092NA23
, 2H092NA24
, 4M104AA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD08
, 4M104DD09
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD20
, 4M104DD26
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104DD71
, 4M104DD72
, 4M104FF13
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104GG20
, 5F110AA02
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG35
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110HL07
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN73
, 5F110QQ03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
TFT基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-181787
Applicant:株式会社日立製作所
-
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-007050
Applicant:富士通株式会社
-
液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-044239
Applicant:シャープ株式会社
-
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-113745
Applicant:松下電器産業株式会社
-
薄膜トランジスタアレイの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-332070
Applicant:カシオ計算機株式会社, 沖電気工業株式会社
-
活性マトリックス液晶装置を製造する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-128559
Applicant:ゼロックスコーポレイション
-
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-047430
Applicant:富士通株式会社
-
アクティブマトリクスESD保護及び試験方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-507844
Applicant:イメージクエストテクノロジーズインコーポレイテッド
-
アクティブマトリックスディスプレイとその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-534601
Applicant:ヒュンダイエレクトロニクスアメリカ
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