半導体整流素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006150266
Publication number (International publication number)：2007324218
Application date： May. 30, 2006
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：

【課題】本発明は、順方向バイアス印加時におけるオン抵抗の増加を抑制しながら、逆方向バイアス時におけるリーク電流を抑制して耐圧の低下を抑制することができる半導体整流素子を提供する。【解決手段】ショットキー電極50は、隣り合う電界緩和層40の間に位置し、かつドリフト層30の表面上に接触するようにして形成された第1の領域50Bと、ショットキー電極のうち第1の領域を除く第2の領域50Aとを有し、第1の領域は、第2の領域よりバリアハイトが高い導電性材料によって形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、前記ドリフト層の表面部分において、互いに離間して形成された複数の第2導電型の電界緩和層と、前記ドリフト層の表面上にショットキーコンタクトを形成するようにして接触されたショットキー電極と、前記半導体基板の下方にオーミックコンタクトを形成するようにして接触されたオーミック電極とを備え、前記ショットキー電極は、隣り合う前記電界緩和層の間に位置し、かつ前記ドリフト層の表面上に接触するようにして形成された第1の領域と、前記ショットキー電極のうち前記第1の領域を除く第2の領域とを有し、前記第1の領域は、前記第2の領域よりバリアハイトが高い導電性材料によって形成されたことを特徴とする半導体整流素子。

IPC (2)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (1)：

H01L29/48 F

F-Term (26)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ショットキーバリアダイオードおよび半導体モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-286935 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (10)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-048256 Applicant：三洋電機株式会社
ショットキバリア整流半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-089733 Applicant：新電元工業株式会社
ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-502878 Applicant：クリー・インコーポレーテッド

Show all

Return to Previous Page