Pat
J-GLOBAL ID:200903034509012382

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000039286
Publication number (International publication number):2001226461
Application date: Feb. 17, 2000
Publication date: Aug. 21, 2001
Summary:
【要約】【課題】 反りが小さく、耐半田クラック性に優れるエリア実装型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること【解決手段】 (A)ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂(a)とビフェニル型エポキシ樹脂(b)の重量比(a)/(b)が、20/80〜80/20であるエポキシ樹脂、(B)ナフトールアラルキル樹脂を全フェノ-ル樹脂中に30〜100重量%含むフェノ-ル樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)無機充填材からなるエポキシ樹脂組成物であって、前記無機充填材が全エポキシ樹脂組成物中に80〜94重量%含まれることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Claim (excerpt):
(A)式(1)で示されるエポキシ樹脂(a)と式(2)で示されるエポキシ樹脂(b)の重量比(a)/(b)が、20/80〜80/20であるエポキシ樹脂、(B)式(3)で示されるフェノ-ル樹脂を全フェノ-ル樹脂中に30〜100重量%含むフェノ-ル樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)無機充填材からなるエポキシ樹脂組成物であって、前記無機充填材が全エポキシ樹脂組成物中に80〜94重量%含まれることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(nは平均値で、1〜10の正数)【化2】【化3】(nは平均値で、1〜10の正数)
IPC (6):
C08G 59/62 ,  C08G 59/20 ,  C08L 63/00 ,  C08L 63/02 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5):
C08G 59/62 ,  C08G 59/20 ,  C08L 63/00 C ,  C08L 63/02 ,  H01L 23/30 R
F-Term (57):
4J002CC03Y ,  4J002CD04X ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002DE137 ,  4J002DE147 ,  4J002DJ017 ,  4J002EN026 ,  4J002EU096 ,  4J002EU116 ,  4J002EW016 ,  4J002EW176 ,  4J002EY016 ,  4J002FD017 ,  4J002FD14Y ,  4J002FD156 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA02 ,  4J036AA05 ,  4J036AD07 ,  4J036AD11 ,  4J036AE05 ,  4J036DA01 ,  4J036DA02 ,  4J036DA04 ,  4J036DA05 ,  4J036DC05 ,  4J036DC40 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036DD09 ,  4J036FA05 ,  4J036FA06 ,  4J036FB08 ,  4J036GA04 ,  4J036JA07 ,  4J036KA06 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109BA05 ,  4M109CA21 ,  4M109EA03 ,  4M109EA06 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109EB19 ,  4M109EC01 ,  4M109EC03 ,  4M109EC04 ,  4M109EC09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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