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J-GLOBAL ID：200903034819784067

高効率発光素子

Inventor： 歐 震 ,  林 鼎洋 ,  張 家榮 ,  ▲頼▼ 世國
Applicant, Patent owner： 晶元光電股▲ふん▼有限公司
Agent (3)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005084395
Publication number (International publication number)：2005277423
Application date： Mar. 23, 2005
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】 高効率発光素子を提供する。【解決手段】 高効率発光素子は、基板、基板上に形成された第1窒化物半導体層、第1窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層及び窒化物発光層上に形成された第2窒化物半導体層を有し、第2窒化物半導体層は、窒化物発光層の反対の第2窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板; 前記基板上に形成された第1窒化物半導体層; 前記第1窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層;及び 前記窒化物発光層上に形成され、該窒化物発光層の反対の第2窒化物層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する、第2窒化物半導体層; を有し、 前記六方ピラミッドキャビティは、前記第2窒化物発光層の表面から下方に延びる ことを特徴とする高効率発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA10 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100215   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 絶縁基板を有する発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-156095   Applicant：晶元光電股ふん有限公司
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-098654   Applicant：松下電器産業株式会社
• 3-5族化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-073718   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体装置および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-041708   Applicant：ソニー株式会社
• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-271605   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭58-051585
  
• 半導体レ-ザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-314231   Applicant：日本ビクター株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-191452   Applicant：松下電器産業株式会社