半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000355425
Publication number (International publication number)：2002158377
Application date： Nov. 22, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】サファイア基板の光出射面である底面の研削方向をサファイアの結晶方位にマッチングさせることによりクラックのない高表面精度の加工ができるようにし、色度歩留りと信頼性の向上を図る。【解決手段】サファイア基板1aの上に化合物半導体を積層した半導体発光素子の製造方法であって、サファイア基板1aの底面にサファイア単結晶のほぼA面を含むようにカットし、サファイア単結晶のC面とほぼ直交する向きを研削方向として研削する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の上に化合物半導体を積層した半導体発光素子の製造方法であって、前記サファイア基板の底面にサファイア単結晶のほぼA面を含むようにカットし、前記サファイア単結晶のC面とほぼ直交する向きを研削方向として研削することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (15)：

5F041AA10 , 5F041AA12 , 5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041CA46 , 5F041DA46 , 5F041DA56 , 5F041EE25 , 5F045AB14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB08 , 5F045CA11 , 5F045DA52 , 5F045HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

窒化物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-006300 Applicant：日亜化学工業株式会社
ウエハの裏面研削方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-214201 Applicant：ソニー株式会社
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-251769 Applicant：株式会社東芝

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