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J-GLOBAL ID：200903039759497200

半導体装置の製造方法

Inventor： 平下 紀夫 ,  一森 高示 ,  中村 稔之
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001160597
Publication number (International publication number)：2002353426
Application date： May. 29, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 絶縁体層上にシリコン膜層を形成し,熱処理工程を経てシリコン膜層上に形成する半導体装置の製造方法において,熱処理工程でシリコン膜層が凝集することを防止する。【解決手段】 シリコン膜層を形成した基板11を非酸化性雰囲気中においてシリコン膜層の凝集温度以上で熱処理を行う前に,例えばシリコン膜層である高濃度拡散層18a,18bなどのシリコン膜層表面に例えばSiO2の膜,Si3N4の膜などの保護膜30を形成させる。

Claim (excerpt)：

絶縁体層上にシリコン膜層を形成し,熱処理工程を経て前記シリコン膜層上に形成する半導体装置の製造方法において,シリコン膜層を形成した基板を非酸化性雰囲気中において熱処理する際に,その熱処理温度を前記シリコン膜層の凝集温度未満にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/786

FI (6)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 27/08 321 K ,  H01L 27/08 321 E

F-Term (57)：

5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BC00 ,  5F048BD04 ,  5F048BF07 ,  5F048BG05 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F083FZ01 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083PR34 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体微構造の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-119270   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体微粒子集合体の製造方法およびそれを適用した半導体微粒子集合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-323832   Applicant：科学技術振興事業団, 株式会社東芝
• 半導体素子の量子点形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-358389   Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-256874   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-196312
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-237633   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-148172   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• "THERMAL AGGLOMERATION OF THIN SINGLE-CRYSTAL SI ON SIO2 IN VACUUM"
• "Formation of silicon islands on a silicon on insulator substrate upon thermal annealing"