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J-GLOBAL ID:200903041035533641
ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004100205
Publication number (International publication number):2005070742
Application date: Mar. 30, 2004
Publication date: Mar. 17, 2005
Summary:
【課題】 充分実用に足る溶解コントラストを有し、かつパターン倒れを抑制可能なポジ型レジスト組成物、およびパターン形成方法を提供する。【解決手段】 低級アルキル分子から3方以上にポリマー鎖が延びた星型分岐ポリマーを含むことを特徴とする、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分(A1)又は3官能以上の多官能性連鎖移動剤の存在下、(メタ)アクリル酸エステルを含む単量体の重合により得られる星型分岐ポリマーを含むことを特徴とする、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分(A2)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及び前記ポジ型レジスト組成物からなる層を基板上に設け、これにプレベークを施し、選択的に露光した後、露光後加熱を施し、アルカリ現像することを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
低級アルキル分子から3方以上にポリマー鎖が延びた星型分岐ポリマーを含むことを特徴とする、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分(A1)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3):
G03F7/039
, G03F7/032
, H01L21/027
FI (3):
G03F7/039 601
, G03F7/032
, H01L21/30 502R
F-Term (13):
2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CC03
, 2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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特許2881969号公報
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レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-156818
Applicant:富士通株式会社
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放射線感光材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-276597
Applicant:富士通株式会社
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